Vishay Semiconductor Diodes Division - B125C800DM-E3/45

KEY Part #: K6539887

B125C800DM-E3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [365502ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10120
  • 5,000 pcs$0.08373

Ნაწილი ნომერი:
B125C800DM-E3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1P 200V 900MA DFM. Bridge Rectifiers 0.9A,200V,DIP,BRIDGE
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division B125C800DM-E3/45 electronic components. B125C800DM-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B125C800DM-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

B125C800DM-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : B125C800DM-E3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1P 200V 900MA DFM
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 900mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 900mA
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DFM

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC1208W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1501W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 100 Volt 15 Amp Glass Passivated

  • GBPC1210W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1202W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1204W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W. Bridge Rectifiers 400 Volt 12 Amp Glass Passivated

  • GBPC1510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 Volt 15 Amp Glass Passivated