Alliance Memory, Inc. - AS4C4M32SA-6TIN

KEY Part #: K938084

AS4C4M32SA-6TIN ფასები (აშშ დოლარი) [19113ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.30927
  • 10 pcs$2.10611
  • 25 pcs$2.06618
  • 50 pcs$2.05199
  • 100 pcs$1.84076
  • 250 pcs$1.83368
  • 500 pcs$1.71922
  • 1,000 pcs$1.64606

Ნაწილი ნომერი:
AS4C4M32SA-6TIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, PMIC - მძღოლები, კონტროლერები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები and ლოგიკა - ცვლის რეგისტრატორები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TIN electronic components. AS4C4M32SA-6TIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C4M32SA-6TIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C4M32SA-6TIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C4M32SA-6TIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 128Mb (4M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 2ns
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 86-TSOP II

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G104BHV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.