Vishay Semiconductor Diodes Division - GBL10-E3/51

KEY Part #: K6540615

GBL10-E3/51 ფასები (აშშ დოლარი) [67281ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.58116
  • 1,200 pcs$0.22342

Ნაწილი ნომერი:
GBL10-E3/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL. Bridge Rectifiers 1000 Volt 4.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBL10-E3/51 electronic components. GBL10-E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBL10-E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBL10-E3/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBL10-E3/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBL

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC3504W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif

  • D2SB60 D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL. Bridge Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 80 Amp IFSM

  • TS6P05G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A TS-6P. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10P05G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 600V 10A TS-6P. Bridge Rectifiers 10A 600V Standard Bridge Rectif