Infineon Technologies - FP15R12YT3BOMA1

KEY Part #: K6534592

FP15R12YT3BOMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1648ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$26.26703

Ნაწილი ნომერი:
FP15R12YT3BOMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOD IGBT LOW PWR EASY2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FP15R12YT3BOMA1 electronic components. FP15R12YT3BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP15R12YT3BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP15R12YT3BOMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FP15R12YT3BOMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 25A
ძალა - მაქსიმუმი : 110W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 15A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 1.1nF @ 25V
შეყვანა : Three Phase Bridge Rectifier
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.