MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR ფასები (აშშ დოლარი) [17173ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.69811
- 1,000 pcs$2.68469
- Ნაწილი ნომერი:
- MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
- მწარმოებელი:
- Micron Technology Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I. NAND Flash SLC 4G 512MX8 TSOP
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, მეხსიერება, PMIC - ბატარეის დამტენები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები and PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR electronic components. MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
მწარმოებელი :
Micron Technology Inc.
აღწერა :
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
მეხსიერების ტიპი :
Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი :
FLASH
ტექნოლოგია :
FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა :
4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე :
-
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი :
-
წვდომის დრო :
-
მეხსიერების ინტერფეისი :
Parallel
ძაბვა - მიწოდება :
2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
48-TSOP I
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
ცხელი ნაწილები
- AT88SC25616C-PU
- MT48LC4M32B2B5-6:G TR
- MT46V64M8TG-75:D
- M24C04-WDW6T
- AT29BV010A-12JI
- AT93C46C-10SI
- AT27C4096-55JC
- AT25640T1-10TI
- W25Q64FVTCJQ TR
- MT53B512M16D1Z11NWC1
- MT53D8DANZ-DC
- MT53D4DANW-DC
- MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR
- 70V25L45J
- 7130SA55TFI8/2703
- MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR
- CG8278AA
- IS61QDB22M18C-250M3
- PF58F0095HVT0B0A
- W631GU8KB-12
- IS43TR16128A-15HBL
- S99FL116K0XMFI043
- AT45DB041D-SU-SL383
- JS28F640J3F75G
- CY62138FLL-45ZSXI
- AT28LV64B-25PC
- MR0A08BCSO35R
- MT29F128G08AKAAAC5:A
- PC48F4400P0VB0EA
- M29W320DT70N3F TR
- M29W256GSH70ZS6E
- IDT71V416YL12PH8
- 71342LA20PF
- 7008L20JI8
- IS42S32800D-75ETL-TR
- AT24C04B-TH-B
- M45PE40-VMP6G
- CY62137VNLL-70ZSXET
- MX29LV400CTTC-70G
- S25FL164K0XMFI003
选择你的位置