Infineon Technologies - BSZ150N10LS3GATMA1

KEY Part #: K6419937

BSZ150N10LS3GATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [145978ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.25338
  • 5,000 pcs$0.23249

Ნაწილი ნომერი:
BSZ150N10LS3GATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSZ150N10LS3GATMA1 electronic components. BSZ150N10LS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ150N10LS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ150N10LS3GATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSZ150N10LS3GATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 33µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2500pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.1W (Ta), 63W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TSDSON-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ