NXP USA Inc. - A2I08H040GNR1

KEY Part #: K6465927

A2I08H040GNR1 ფასები (აშშ დოლარი) [2585ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$16.75182
  • 500 pcs$13.63665

Ნაწილი ნომერი:
A2I08H040GNR1
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC RF LDMOS AMP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. A2I08H040GNR1 electronic components. A2I08H040GNR1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2I08H040GNR1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2I08H040GNR1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : A2I08H040GNR1
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : IC RF LDMOS AMP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS (Dual)
სიხშირე : 920MHz
მოიპოვე : 30.7dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 25mA
Ძალის გამოსავალი : 9W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : TO-270-15 Variant, Gull Wing
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-270WBG-15

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.