Ნაწილი ნომერი :
DMT10H025LK3-13
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET BVDSS 61V-100V TO252 TR
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
47.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
21nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1477pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.6W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63