ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBL

KEY Part #: K943193

IS43DR16160B-3DBL ფასები (აშშ დოლარი) [61816ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.84143
  • 627 pcs$0.83725

Ნაწილი ნომერი:
IS43DR16160B-3DBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები, ინტერფეისი - სენსორი, capacitive შეხება, PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები, ლოგიკა - ლატჩები, ლოგიკა - მულტივიბრატორი, ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP and ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL electronic components. IS43DR16160B-3DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16160B-3DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16160B-3DBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43DR16160B-3DBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 333MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 450ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS25WP032D-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 32M QPI/QSPI, WSON ET

  • W25Q128JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • W25Q128FWEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • 25AA512T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 512k 64KX8 1.8V SER EE IND

  • SST26VF032BT-104V/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 32Mbit SPI/SQI flash 105C, 2.3V-3.6V

  • 25LC512T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8SOIJ. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE IND