IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65703S75BGG

KEY Part #: K915885

71V65703S75BGG ფასები (აშშ დოლარი) [5298ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.13623
  • 84 pcs$9.09078

Ნაწილი ნომერი:
71V65703S75BGG
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA. SRAM 9M ZBT SLOW X36 F/T 3.3V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, მეხსიერება - კონტროლერები, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, ჩაშენებული - DSP (ციფრული სიგნალის პროცესორები), PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური, and PMIC - დრაივერების ჩვენება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75BGG electronic components. 71V65703S75BGG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V65703S75BGG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V65703S75BGG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 71V65703S75BGG
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous ZBT
მეხსიერების ზომა : 9Mb (256K x 36)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 7.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 119-BGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 119-PBGA (14x22)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS61LPD51236A-250B3LI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

  • W25Q257FVFIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • W25Q257FVFIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • MT41K512M16HA-107 IT:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

  • MT41K512M16HA-107G:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

  • MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA.