Ნაწილი ნომერი :
SSM6J801R,LF
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32.5 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
12.8nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
840pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
6-TSOP-F
პაკეტი / საქმე :
6-SMD, Flat Leads