Ნაწილი ნომერი :
HIP6601BCB
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America Inc.
აღწერა :
IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Half-Bridge
კარიბჭის ტიპი :
N-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
10.8V ~ 13.2V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
-
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
-
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
15V
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
20ns, 20ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
0°C ~ 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOIC