GeneSiC Semiconductor - MURTA30040R

KEY Part #: K6468520

MURTA30040R ფასები (აშშ დოლარი) [854ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$54.38981
  • 18 pcs$36.55488

Ნაწილი ნომერი:
MURTA30040R
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER. Rectifiers 400V 300A Si Super Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA30040R electronic components. MURTA30040R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA30040R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA30040R პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MURTA30040R
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Anode
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 150A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 150A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25µA @ 400V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Three Tower
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Three Tower
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • LQA10N150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • 2SK209-GR(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    JFET N-CH SOT23.

  • BF999E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.

  • MMBD1405A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • BAS4005E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23.