Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU8M-M3/51

KEY Part #: K6539061

GBU8M-M3/51 ფასები (აშშ დოლარი) [90446ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.43231
  • 1,000 pcs$0.33835

Ნაწილი ნომერი:
GBU8M-M3/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU. Bridge Rectifiers 8A,1000V,GPP,INLINE BRIDGE
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU8M-M3/51 electronic components. GBU8M-M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU8M-M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU8M-M3/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBU8M-M3/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 8A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBU

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB2S/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA.

  • MB2S45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA.

  • VS-GBPC3502W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 35 Amp

  • VS-GBPC2506W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 600 Volt 25 Amp

  • VS-GBPC3508W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 35 Amp

  • GBPC4008 T0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 800V 40A GBPC40. Bridge Rectifiers 40A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON