NXP USA Inc. - AFT18S260W31SR3

KEY Part #: K6465928

AFT18S260W31SR3 ფასები (აშშ დოლარი) [768ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$60.42390
  • 250 pcs$48.45876

Ნაწილი ნომერი:
AFT18S260W31SR3
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC TRANS RF LDMOS.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. AFT18S260W31SR3 electronic components. AFT18S260W31SR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AFT18S260W31SR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AFT18S260W31SR3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AFT18S260W31SR3
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : IC TRANS RF LDMOS
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : LDMOS
სიხშირე : 1.88GHz
მოიპოვე : 19.6dB
ძაბვა - ტესტი : 28V
ამჟამინდელი რეიტინგი : -
ხმაურის ფიგურა : -
მიმდინარე - ტესტი : 1.8A
Ძალის გამოსავალი : 50W
ძაბვა - შეფასებული : 65V
პაკეტი / საქმე : NI-780S-2L2LA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : NI-780S-2L2LA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.