1N4935G ფასები (აშშ დოლარი) [406614ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.09492
- 10 pcs$0.07712
- 100 pcs$0.04093
- 500 pcs$0.02694
- 1,000 pcs$0.01832
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N4935G
- მწარმოებელი:
- ON Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO41. Rectifiers 200V 1A Fast
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in ON Semiconductor 1N4935G electronic components. 1N4935G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4935G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4935G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N4935G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.2V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
300ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-41
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-8EWF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die
-
VS-50WQ06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
RGL34J-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
-
VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns
-
SGL41-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt
ცხელი ნაწილები
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置