Micron Technology Inc. - EDB1316BDBH-1DIT-F-D

KEY Part #: K938651

EDB1316BDBH-1DIT-F-D ფასები (აშშ დოლარი) [21321ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.14924
  • 2,100 pcs$1.95588

Ნაწილი ნომერი:
EDB1316BDBH-1DIT-F-D
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 64MX16 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ენერგიის გაზომვა, საათი / დრო - რეალურ დროში საათები, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, ინტერფეისი - სიგნალის ტერმინატორები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება and ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DIT-F-D electronic components. EDB1316BDBH-1DIT-F-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB1316BDBH-1DIT-F-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1316BDBH-1DIT-F-D პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : EDB1316BDBH-1DIT-F-D
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR2
მეხსიერების ზომა : 1Gb (64M x 16)
საათის სიხშირე : 533MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.14V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 134-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 134-VFBGA (10x11.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • MB85R256FPNF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP.

  • 7164S25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • W9825G2JB-6 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, T&R