Microsemi Corporation - 1N645-1E3

KEY Part #: K6425820

1N645-1E3 ფასები (აშშ დოლარი) [66799ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.58534

Ნაწილი ნომერი:
1N645-1E3
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
SWITCHING DIODE.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N645-1E3 electronic components. 1N645-1E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N645-1E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N645-1E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N645-1E3
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : SWITCHING DIODE
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 225V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 400mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 400mA
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50nA @ 225V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35 (DO-204AH)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MBRD6200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 6A DPAK.

  • MBRD3200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 3A DPAK.

  • SDURD1540TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 400V 15A DPAK.

  • EGL34G/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • RGL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-20ETF12FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP. Rectifiers New Input Diodes - FULLPAK-220-e3