IDC21D120T6MX1SA2 ფასები (აშშ დოლარი) [26568ცალი საფონდო]
- 1 pcs$1.55126
- Ნაწილი ნომერი:
- IDC21D120T6MX1SA2
- მწარმოებელი:
- Infineon Technologies
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and Thististors - SCRs - მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Infineon Technologies IDC21D120T6MX1SA2 electronic components. IDC21D120T6MX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC21D120T6MX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC21D120T6MX1SA2 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
IDC21D120T6MX1SA2
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
35A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.05V @ 35A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
7.7µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sawn on foil
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
SD101BW-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 50Volt 2A IFSM
-
BAV21W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
ცხელი ნაწილები
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T
选择你的位置