Ნაწილი ნომერი :
IX6R11S6T/R
აღწერა :
IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Half-Bridge
კარიბჭის ტიპი :
IGBT, N-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
10V ~ 35V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
6V, 9.6V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
6A, 6A
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
600V
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
25ns, 17ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 125°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
18-SOIC