GeneSiC Semiconductor - MBRTA80035L

KEY Part #: K6475744

[5998ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MBRTA80035L
    მწარმოებელი:
    GeneSiC Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRTA80035L electronic components. MBRTA80035L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRTA80035L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRTA80035L პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MBRTA80035L
    მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 35V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 400A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 600mV @ 400A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 3mA @ 35V
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : Three Tower
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Three Tower
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BAV70M-TP

      Micro Commercial Co

      0.2A75VSCHOTTKYSOT-723 PKG. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mW SWITCHING DIODES

    • BAV199E6359HTMA1

      Infineon Technologies

      DIODE ARRAY 80V 200MA SOT23.

    • BAV170E6359HTMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GP 80V 100MA SOT23.

    • MBR20H100CTG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY DUAL CC TO220.

    • MBR20H100CT-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY DUAL CC TO220.

    • MBR10H100CT-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY DUAL CC TO220.