Ნაწილი ნომერი :
IPA65R1K5CEXKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V TO220-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
5.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
225pF @ 100V
FET თვისება :
Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO220 Full Pack
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack