IXYS - IXFN55N50

KEY Part #: K6397965

IXFN55N50 ფასები (აშშ დოლარი) [2945ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$15.44179
  • 10 pcs$14.28215
  • 25 pcs$13.12436
  • 100 pcs$12.19790
  • 250 pcs$11.19429

Ნაწილი ნომერი:
IXFN55N50
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN55N50 electronic components. IXFN55N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN55N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN55N50 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN55N50
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 330nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9400pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 625W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK5A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.

  • TK65A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 65A TO-220.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.