Vishay Semiconductor Diodes Division - UH3B-M3/9AT

KEY Part #: K6443276

UH3B-M3/9AT ფასები (აშშ დოლარი) [2847ცალი საფონდო]

  • 7,000 pcs$0.08376

Ნაწილი ნომერი:
UH3B-M3/9AT
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH3B-M3/9AT electronic components. UH3B-M3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH3B-M3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH3B-M3/9AT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : UH3B-M3/9AT
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.05V @ 3A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 40ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 42pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AB, SMC
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AB (SMC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-5EWX06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast

  • VS-80APS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers 800 Volt 1450 Amp

  • VS-APH3006-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V 27ns Hyperfast

  • V30120SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30120SGHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB.

  • V30100SHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB.