თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - მასივები
  5. CDBGBSC201200-G

Comchip Technology - CDBGBSC201200-G

KEY Part #: K6470411

CDBGBSC201200-G ფასები (აშშ დოლარი) [6888ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.98205
Ნაწილი ნომერი:
CDBGBSC201200-G
მწარმოებელი:
Comchip Technology
Დეტალური აღწერა:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY 20A 1200V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Comchip Technology CDBGBSC201200-G electronic components. CDBGBSC201200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBGBSC201200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBGBSC201200-G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CDBGBSC201200-G
მწარმოებელი : Comchip Technology
აღწერა : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 25.9A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 10A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-247-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247

Უახლესი ცნობები

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MBR20100CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220.

  • MBR2040CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V, 20A

  • MBR20150CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY RECT 20A 150V

  • MBR2030CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30V, 20A

  • 1SS309(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW

  • 1SS308(TE85L,F

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode

ცხელი ნაწილები