Ნაწილი ნომერი :
RN1901,LF(CT
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
ტრანზისტორი ტიპი :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) :
100mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) :
50V
რეზისტორული ბაზა (R1) :
4.7 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) :
1 kOhms
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce :
30 @ 10mA, 5V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) :
100nA (ICBO)
სიხშირე - გადასვლა :
250MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
US6