SCS308AHGC9 ფასები (აშშ დოლარი) [18481ცალი საფონდო]
- 1 pcs$2.22994
- Ნაწილი ნომერი:
- SCS308AHGC9
- მწარმოებელი:
- Rohm Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- SHORTER RECOVERY TIME ENABLING. Schottky Diodes & Rectifiers 650V;8A;57W SiC SBD TO-220ACP
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and დენის მართვის მოდული ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCS308AHGC9 electronic components. SCS308AHGC9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCS308AHGC9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCS308AHGC9 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
SCS308AHGC9
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
SHORTER RECOVERY TIME ENABLING
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.5V @ 8A
სიჩქარე :
No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F :
400pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220ACP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
175°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
-
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.
ცხელი ნაწილები
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T
选择你的位置