Microsemi Corporation - JAN1N821-1

KEY Part #: K6507896

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N821-1 electronic components. JAN1N821-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N821-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JAN1N821-1

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/159

ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key

ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 7.5V

ტოლერანტობა : ±5%

ძალა - მაქსიმუმი : 500mW

წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 15 Ohms

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 3V

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 200mA

ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35 (DO-204AH)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

BZG05C39-HE3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC.
BZG05C39-E3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC.
BZG05C36-HE3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 36V 1.25W DO214AC.
BZG05C36-E3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 36V 1.25W DO214AC.
BZG05C33-HE3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 33V 1.25W DO214AC.
BZG05C30-E3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ZENER 30V 1.25W DO214AC.