Ნაწილი ნომერი :
HAT2192WP-EL-E
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America
აღწერა :
MOSFET N-CH 250V 10A WPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 5A, 10V
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
15nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
710pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
25W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-WPAK
პაკეტი / საქმე :
8-PowerWDFN