IXYS - IXTA10N60P

KEY Part #: K6417740

IXTA10N60P ფასები (აშშ დოლარი) [39965ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.19185
  • 50 pcs$1.18592

Ნაწილი ნომერი:
IXTA10N60P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTA10N60P electronic components. IXTA10N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA10N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA10N60P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTA10N60P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
სერიები : Polar™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1610pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 200W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (IXTA)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ