Diodes Incorporated - DRDNB16W-7

KEY Part #: K6527451

DRDNB16W-7 ფასები (აშშ დოლარი) [773543ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04782
  • 3,000 pcs$0.04307
  • 6,000 pcs$0.04046
  • 15,000 pcs$0.03785
  • 30,000 pcs$0.03472

Ნაწილი ნომერი:
DRDNB16W-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DRDNB16W-7 electronic components. DRDNB16W-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DRDNB16W-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DRDNB16W-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DRDNB16W-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტრანზისტორი ტიპი : NPN - Pre-Biased + Diode
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 600mA
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 50V
რეზისტორული ბაზა (R1) : 1 kOhms
რეზისტორული - ემიტერის ბაზა (R2) : 10 kOhms
DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce : 56 @ 50mA, 5V
Vce სატურაცია (მაქს) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 500nA
სიხშირე - გადასვლა : 200MHz
ძალა - მაქსიმუმი : 200mW
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ