Ნაწილი ნომერი :
SI3473CDV-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
65nC @ 8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2010pF @ 6V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2W (Ta), 4.2W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
6-TSOP
პაკეტი / საქმე :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6