თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - მასივები
  5. MSRT200160(A)

GeneSiC Semiconductor - MSRT200160(A)

KEY Part #: K6469969

MSRT200160(A) ფასები (აშშ დოლარი) [1958ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$23.10929
  • 25 pcs$22.99432
Ნაწილი ნომერი:
MSRT200160(A)
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT200160(A) electronic components. MSRT200160(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT200160(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT200160(A) პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MSRT200160(A)
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდური კონფიგურაცია : 1 Pair Common Cathode
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) : 200A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 200A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Three Tower
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Three Tower
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RB550EATR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TSMD5. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY 30V 0.7A 5PIN SMD

  • UMR12NTN

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6. Diodes - General Purpose, Power, Switching SW 80V 200MA

  • RB541XNTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY SMLL SIG 30V.1A3PIN

  • RB731XNTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V UMD6. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER

  • UMN20NTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SWITCHING 80V 0.1A 6PIN UMD

  • TBAV99,LM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Speed Switching Diode

ცხელი ნაწილები