Micron Technology Inc. - MT61M256M32JE-10 AAT:A

KEY Part #: K914310

[10236ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT61M256M32JE-10 AAT:A
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ. DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGA -10 AAT
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება, მონაცემთა შეძენა - ციფრული გადამყვანების ანალოგები, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, ინტერფეისი - ტელეკომი, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ინტერფეისი - სერიალიზატორი, დესელიზატორები and ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-10 AAT:A electronic components. MT61M256M32JE-10 AAT:A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT61M256M32JE-10 AAT:A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT61M256M32JE-10 AAT:A პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT61M256M32JE-10 AAT:A
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : RAM
    ტექნოლოგია : SGRAM - GDDR6
    მეხსიერების ზომა : 8Gb (256M x 32)
    საათის სიხშირე : 1.25GHz
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 1.21V ~ 1.29V
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 180-TFBGA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 180-FBGA (12x14)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 25LC256T-M/MF

      Microchip Technology

      IC EEPROM 256K SPI 10MHZ 8DFN. EEPROM Serial EEPROM 256K 32K X 8, 2.5V MIL T

    • RMWV3216AGBG-5S2#KC0

      Renesas Electronics America

      SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40. SRAM SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C

    • R1LV3216RSD-5SI#S0

      Renesas Electronics America

      IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II.

    • IS62WV102416ALL-35TLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16M (1Mx16) 35ns Async SRAM

    • IS61WV102416ALL-20TLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16Mb, 1Mbx16, 20ns Async SRAM

    • IS61WV102416BLL-10MLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MINIBGA. SRAM 16Mb 10ns 1Mx16 Async SRAM 3.3v