NXP USA Inc. - BAP51-06W,115

KEY Part #: K6464444

BAP51-06W,115 ფასები (აშშ დოლარი) [944660ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03935
  • 3,000 pcs$0.03915
  • 6,000 pcs$0.03678
  • 15,000 pcs$0.03441
  • 30,000 pcs$0.03156

Ნაწილი ნომერი:
BAP51-06W,115
მწარმოებელი:
NXP USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323. PIN Diodes 50V 50mA Single
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in NXP USA Inc. BAP51-06W,115 electronic components. BAP51-06W,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAP51-06W,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAP51-06W,115 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAP51-06W,115
მწარმოებელი : NXP USA Inc.
აღწერა : RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : PIN - 1 Pair Common Anode
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - მაქს : 50mA
Capacitance @ Vr, F : 0.35pF @ 5V, 1MHz
წინააღმდეგობა @ თუ, ვ : 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 240mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
პაკეტი / საქმე : SC-70, SOT-323
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-323

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ