Ნაწილი ნომერი :
IRLR120PBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
12nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
490pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 42W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D-Pak
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63