Diodes Incorporated - BAS16-7-F

KEY Part #: K6458138

BAS16-7-F ფასები (აშშ დოლარი) [3619250ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01022
  • 3,000 pcs$0.00954
  • 6,000 pcs$0.00861
  • 15,000 pcs$0.00748
  • 30,000 pcs$0.00674
  • 75,000 pcs$0.00599
  • 150,000 pcs$0.00498

Ნაწილი ნომერი:
BAS16-7-F
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75V 350mW 0
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated BAS16-7-F electronic components. BAS16-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16-7-F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAS16-7-F
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.25V @ 150mA
სიჩქარე : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 75V
Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in