Ნაწილი ნომერი :
SI2311DS-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
8V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
970pF @ 4V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
710mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23-3
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3