Microsemi Corporation - JANTXV1N5806URS

KEY Part #: K6446331

JANTXV1N5806URS ფასები (აშშ დოლარი) [3004ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.48542
  • 100 pcs$14.41336

Ნაწილი ნომერი:
JANTXV1N5806URS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 150V 1A APKG. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806URS electronic components. JANTXV1N5806URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806URS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N5806URS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/477
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 875mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 25ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : A-MELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBD1202

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • VSB1545-M3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600.

  • VSB15L45-M3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7A P600.

  • P600M-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM

  • P600J-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 600 Volt 400 Amp IFSM

  • EGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.