Microsemi Corporation - JAN1N5618US

KEY Part #: K6444343

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5618US electronic components. JAN1N5618US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5618US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JAN1N5618US

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/429

ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 3A

სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 600V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 200°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

DB3Y313KEL

Panasonic Electronic Components

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
VS-8EWS12STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.
VS-10WQ045FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.
VS-STPS1045BTRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.
VS-MBRD330PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK.
VS-HFA08SD60SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.

ცხელი ნაწილები