Microsemi Corporation - JAN1N5618US

KEY Part #: K6444343

[2482ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JAN1N5618US
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5618US electronic components. JAN1N5618US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5618US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N5618US პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JAN1N5618US
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/429
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 3A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500nA @ 600V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 200°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • VS-10WQ045FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-STPS1045BTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK.

    • VS-MBRD330PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK.

    • VS-HFA08SD60SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK.