Infineon Technologies - IPL65R1K0C6SATMA1

KEY Part #: K6420129

IPL65R1K0C6SATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [162824ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22716
  • 5,000 pcs$0.20836

Ნაწილი ნომერი:
IPL65R1K0C6SATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 8TSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPL65R1K0C6SATMA1 electronic components. IPL65R1K0C6SATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R1K0C6SATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R1K0C6SATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPL65R1K0C6SATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 8TSON
სერიები : CoolMOS™ C6
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 328pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 34.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Thin-PAK (5x6)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ