Microsemi Corporation - JANTX1N6312US

KEY Part #: K6479710

JANTX1N6312US ფასები (აშშ დოლარი) [279ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$158.60680
  • 10 pcs$150.94992
  • 50 pcs$145.48072
  • 100 pcs$142.19920
  • 250 pcs$140.01152
  • 500 pcs$136.73000
  • 1,000 pcs$131.26080

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N6312US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 3.3V 500MW B-SQ MELF. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6312US electronic components. JANTX1N6312US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6312US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6312US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6312US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 3.3V 500MW B-SQ MELF
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/533
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 3.3V
ტოლერანტობა : ±5%
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 27 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1A
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : B, SQ-MELF

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA