Rohm Semiconductor - RE1C001ZPTL

KEY Part #: K6411840

RE1C001ZPTL ფასები (აშშ დოლარი) [2258971ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11074
  • 10 pcs$0.10085
  • 100 pcs$0.05648
  • 500 pcs$0.03025
  • 1,000 pcs$0.02057

Ნაწილი ნომერი:
RE1C001ZPTL
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor RE1C001ZPTL electronic components. RE1C001ZPTL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RE1C001ZPTL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RE1C001ZPTL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RE1C001ZPTL
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 15pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : EMT3F (SOT-416FL)
პაკეტი / საქმე : SC-89, SOT-490

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.