IXYS - IXTP08N120P

KEY Part #: K6394603

IXTP08N120P ფასები (აშშ დოლარი) [41564ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

Ნაწილი ნომერი:
IXTP08N120P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP08N120P electronic components. IXTP08N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP08N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP08N120P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP08N120P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
სერიები : Polar™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 800mA (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 333pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 50W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ