Ნაწილი ნომერი :
IXFM11N80
აღწერა :
POWER MOSFET TO-3
ნაწილის სტატუსი :
Last Time Buy
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
155nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4200pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-204AA
პაკეტი / საქმე :
TO-204AA, TO-3