Microsemi Corporation - JANTX1N757A-1

KEY Part #: K6479701

JANTX1N757A-1 ფასები (აშშ დოლარი) [15355ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.57809
  • 10 pcs$2.30266
  • 25 pcs$2.07235
  • 100 pcs$1.88818
  • 250 pcs$1.70398
  • 500 pcs$1.52896
  • 1,000 pcs$1.28949
  • 2,500 pcs$1.22501

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N757A-1
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N757A-1 electronic components. JANTX1N757A-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N757A-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N757A-1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N757A-1
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/127
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - ზენერი (სახელი) (Vz) : 9.1V
ტოლერანტობა : ±5%
ძალა - მაქსიმუმი : 500mW
წინაღობა (მაქს) (ზზტ) : 6 Ohms
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 7V
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 200mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 175°C
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35 (DO-204AH)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAR43C

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3.

  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array