Powerex Inc. - T627062074DN

KEY Part #: K6458751

T627062074DN ფასები (აშშ დოლარი) [1302ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$33.26942
  • 30 pcs$32.55624

Ნაწილი ნომერი:
T627062074DN
მწარმოებელი:
Powerex Inc.
Დეტალური აღწერა:
SCR FAST SW 600V 200A TO200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Powerex Inc. T627062074DN electronic components. T627062074DN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T627062074DN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

T627062074DN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : T627062074DN
მწარმოებელი : Powerex Inc.
აღწერა : SCR FAST SW 600V 200A TO200AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ძაბვა - გამორთული სახელმწიფო : 600V
ვოლტაჟი - Gate Trigger (Vgt) (Max) : 3V
მიმდინარე - Gate Trigger (Igt) (მაქსიმალური) : 150mA
ძაბვა - სახელმწიფოზე (ვტმ) (მაქს) : 2.1V
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური) : 200A
მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური) : 315A
მიმდინარე - გამართავს (Ih) (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - გამორთული სახელმწიფო (მაქსიმალური) : 25mA
ამჟამინდელი - 50 – დან 60 ჰერცირზე მეტი სიჩქარე (მისი სიჩქარე) : 4000A @ 60Hz
SCR ტიპი : Standard Recovery
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
სამონტაჟო ტიპი : Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-200AA, A-PUK
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : T62
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAS16E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode