Microsemi Corporation - APT13F120S

KEY Part #: K6394888

APT13F120S ფასები (აშშ დოლარი) [8724ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.22183
  • 45 pcs$5.19585

Ნაწილი ნომერი:
APT13F120S
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APT13F120S electronic components. APT13F120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT13F120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT13F120S პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APT13F120S
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
სერიები : POWER MOS 8™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4765pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 625W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D3Pak
პაკეტი / საქმე : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ