Diodes Incorporated - GBJ610-F

KEY Part #: K6539099

GBJ610-F ფასები (აშშ დოლარი) [53747ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.72749
  • 15 pcs$0.65112
  • 105 pcs$0.50773
  • 510 pcs$0.41944
  • 1,005 pcs$0.31324

Ნაწილი ნომერი:
GBJ610-F
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBJ. Bridge Rectifiers 1000V 6A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated GBJ610-F electronic components. GBJ610-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBJ610-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBJ610-F პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBJ610-F
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBJ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 1kV
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 3A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBJ
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBJ

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB2S/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA.

  • MB2S45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V TO269AA.

  • VS-GBPC3502W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 200 Volt 35 Amp

  • VS-GBPC2506W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 600 Volt 25 Amp

  • VS-GBPC3508W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 35 Amp

  • VS-GBPC2508W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 800 Volt 25 Amp