MBR10200CTHC0G ფასები (აშშ დოლარი) [250472ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.14767
- Ნაწილი ნომერი:
- MBR10200CTHC0G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CTHC0G electronic components. MBR10200CTHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR10200CTHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR10200CTHC0G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
MBR10200CTHC0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდური კონფიგურაცია :
1 Pair Common Cathode
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (თითო დიოდზე) :
10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
980mV @ 10A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220AB
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SBR20A40CT
Diodes Incorporated
DIODE ARRAY SBR 40V 10A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 40V
-
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW
-
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode
-
1SS398TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE ARRAY GP 400V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 400V Switching High-Speed Diode
-
-
ცხელი ნაწილები
- HTZ180D30K
- MA4X71400L
- MSCD165-12
- STPS30L60CFP
- HFA240NJ40C
- VS-113CNQ100APBF
- FEPE16BT-E3/45
- DD241S14KKHPSA1
- MBRF1040CT-JT
- SBLB25L25CT-E3/45
- MBRF20H50CTHE3/45
- MBR20150CTF-E1
- MBR20100CDTR-E1
- MBRF60045R
- MBRF500100
- VS-43CTQ100GSPBF
- VS-16CTQ060SPBF
- VS-15CTQ045-N3
- VS-30CTQ100GSTRLP
- V40100GHM3/4W
- RB095B-90TL
- SS6P4CHM3/86A
- MBRB1560CTHE3/81
- MA3S1370GL
- APT2X100D20J
- MBR10H100CTG
- BAT 15-07LRH E6327
- F1892CAD600
- MMBD4148TW-7
- NSR15SDW1T1
- 80CNQ045ASM
- VS-85CNQ015ASLPBF
- IRKC236/04
- VSKDL450-25S20
- VSKCL240-25S30
- 82CNQ030A
- FEP16GT-E3/45
- UGB18ACT-E3/81
- BAT74,235
- BAS16SH6727XTSA1
选择你的位置